乐鱼官网_开关电源调试一般设计要求与要求
文章来源:乐橙足彩  作者:乐橙足彩  发布日期:2021-07-28  浏览次数:523
1.变压器饱和变压器饱和现象在高压或低压输入下开机(包括轻载,重载,容性负载),输出短路,动态负载,高温等环境下,经由过程变压器(和开关管)的电流呈非线性增加,当呈现此现象时,电流的峰值没法预知和节制,可能致使电流过应力和是以而发生的开关管过压而破坏.变压器饱和时的电流波形轻易发生饱和的环境:-变压器感量太年夜-圈数太少-变压器的饱和电流点比IC的最年夜限流点小-没有软启动解决法子:-下降IC的限流点-增强软启动,使经由过程变压器的电流包络更迟缓上升2.Vds太高Vds的应力要求最卑劣前提(最高输入电压,负载最年夜,情况温度最高,电源启动或短路测试)下,Vds的最年夜值不该跨越额定例格的90%Vds下降的法子-减小平台电压:-减小变压器原副边圈数比-减小尖峰电压:a.减小漏感,变压器漏感在开关管开通是存储能量是发生这个尖峰电压的首要缘由,减小漏感可以减小尖峰电压b.调剂接收电路:•利用TVS管•利用较慢速的二极管,其自己可以接收必然的能量(尖峰)•插入阻尼电阻可使得波形加倍光滑,利在减小EMI3.IC 温渡过高IC温渡过高的缘由和解决法子-内部的MOSFET消耗太年夜开关消耗太年夜,变压器的寄生电容太年夜,造成MOSFET的开通、关断电流与Vds的交叉面积年夜。解决法子是,增添变压器绕组的距离,以减小层间电容,犹如绕组分多层绕制时,层间插手一层绝缘胶带(层间绝缘) 。-散热不良IC的很年夜一部门热量依托引脚导到PCB和其上的铜箔,应尽可能增添铜箔的面积并上更多的焊锡-IC四周空气温度太高IC应处在空气活动畅顺的处所,应阔别零件温度太高的零件。4.空载、轻载不克不及启动现象:空载、轻载不克不及启动,Vcc频频从启动电压和关断电压往返跳动。缘由和解决法子:空载、轻载时,Vcc绕组的感应电压太低,而进入频频重启动状况。解决法子:增添Vcc绕组圈数,减小Vcc限流电阻,恰当加上假负载。假如增添Vcc绕组圈数,减小Vcc限流电阻后,重载时Vcc变得太高,请参照不变Vcc的法子。5.启动后不克不及加重载可能的缘由和解决法子:1.Vcc在重载时太高重载时,Vcc绕组感应电压较高,使Vcc太高并到达IC的OVP点时,将触发IC的过压庇护,引发无输出。假如电压进一步升高,跨越IC的承受能力,IC将会破坏。2.内部限流被触发-限流点太低重载、容性负载时,假如限流点太低,流过MOSFET的电流被限制而不足,使得输出不足。解决法子是增年夜限流脚电阻,提高限流点。-电流上升斜率太年夜上升斜率太年夜,电流的峰值会更年夜,轻易触发内部限流庇护。解决法子是在不使变压器饱和的条件下提高感量6.待机输入功率年夜可能的缘由和解决法子:
  • Vcc在空载、轻载时不足这类环境会造成空载、轻载时输入功率太高,输出纹波过年夜。输入功率太高的缘由是,Vcc不足时,IC进入频频启动状况,频仍的需要高压给Vcc电容充电,造成起动电路消耗。假如启动脚与高压间串有电阻,此时电阻上功耗将较年夜,所以启动电阻的功率品级要足够。
    • 电源IC 未进入Burst Mode 或已进入Burst Mode,但Burst 频率太高开关次数太多,开关消耗过年夜。调理反馈参数,使得反馈速度下降。7.短路功率过年夜现象:输出短路时,输入功率太年夜,Vds太高缘由:输出短路时,反复脉冲多,同时开关管电流峰值很年夜,造成输入功率太年夜过年夜的开关管电流在漏感上存储过年夜的能量,开关管关断时引发Vds高输出短路时有两种可能引发开关管住手工作
      • 触发OCP这类体例可使开关动作当即住手。
        • 触发反馈脚的OCP
        • 开关动作住手
        • Vcc降落到IC封闭电压
        • Vcc从头上升到IC启动电压,而从头启动
          • 触发内部限流这类体例产生时,限制可占空比,依托Vcc降落到UVLO下限而住手开关动作,而Vcc降落的时候较长,即开关动作保持较长时候,输入功率将较年夜。
            • 触发内部限流,占空比受限
            • Vcc降落到IC封闭电压
            • 开关动作住手
            • Vcc从头上升到IC启动电压,而从头启动解决法子:-削减电流脉冲数,使输出短路时触发反馈脚的OCP,可使开关动作敏捷住手工作,电流脉冲数将变少。这意味着短路产生时,反馈脚的电压应当更快的上升。所以反馈脚的电容不成太年夜。-减小峰值电流,8.空载.轻载输出纹波过年夜可能的缘由和解决法子:-Vcc在空载或轻载时不足Vcc不足时,它表示为: 在启动电压(如12V)和关断电压(如8V)之间振荡IC在周期较长的间罢工作,短时候供给能量到输出,接着住手工作较长的时候,使得电容存储的能量不足以保持输出不变,输出电压将会降落。解决方式:包管任何负载前提下,Vcc可以或许不变供给。-Burst Mode时,间罢工作的频率太低此频率太低,输出电容的能量不克不及保持不变。解决法子:在知足待机功耗要求的前提下略微提高间罢工作的频率增年夜输出电容9.重载、容性负载不克不及启动现象:轻载可以或许启动,启动后也可以或许加重载,可是重载或年夜容性负载环境下不克不及启动。一般设计要求:不管重载仍是容性负载(如10000uF),输入电压最低仍是最低,20mS内,输出电压必需上升到不变值。缘由和解决法子(包管Vcc在正常工作规模内的条件下):下面以容性负载C=10000uF为例进行阐发,按规格要求,必需有足够的能量使输出在20mS内上升到不变的输出电压(如5V)。E=0.5*C*V^2电容C越年夜,需要在20mS内从输入传输到输出的能量更年夜。以芯片FSQ0170RNA为例如图所示,暗影部门总面积S就是所需的能量。要增添面积S,法子是:1.增年夜峰值电流限流点I_limit,可答应流过更年夜电感电流Id将与Pin4相接的电阻增年夜,从内部电流源Ifb分流更小,使作为电流限制参考电压的PWM比力器正输入真个电压将上升,即答应更年夜的电畅通过MOSFET/变压器,可以供给更年夜的能量。2.启动时,增添传递能量的时候,即耽误Vfb的上升时候(达到OCP庇护点前)。对这款FSQ0170RNA芯片,电感电流节制是以Vfb为参考电压的,Vfb电压的波形与电感电流的包络成正比。节制Vfb的上升时候便可节制电感包络的上升时候,即增添传递能量的时候。IC的OCP功能是检测Vfb到达Vsd(如6V)实现的。所以要下降Vfb斜率,便可以耽误Vfb的上升时候。输出电压未到达正常值时,假如反馈脚电压Vfb已上升到庇护点,传递能量时候不敷。重载、容性负载启动时,输出电压成立较慢,加到光耦电压较低,经由过程光耦二极管的电流小,光耦光敏管高阻态(趋势关断)的时候较长。IC内部电流源授与反馈脚相接的电容充电较快,假如Vfb在这段时候内上升到庇护点(如6V),MOSFET将关断。输出不克不及到达正常值,启动掉败。解决法子:使输出电压到达正常值时,反馈脚电压Vfb依然小在庇护点。使Vfb阔别庇护点而迟缓上升,或耽误反馈脚Vfb上升到庇护点的时候,即下降Vfb的上升斜率,使输出有足够的时候上升到正常值。A.增年夜反馈电容(C9),可以将Vfb的上升斜率下降,如图所示,由D线酿成A线。可是反馈电容太年夜会影响正常工作状况,下降反馈速度,使输出纹波变年夜。所以此电容不克不及转变太年夜。B.因为A方式有不足,将一个电容(C7)串联稳压管(D6,3.3V)并联到反馈脚。此法不会影响正常工作,如B线所示,当Vfb10.空载、轻载输出反跳现象:在输出空载或轻载时,封闭输入电压,输出(如5V)可能会呈现以下图所示的电压反跳的波形。缘由:输入关失落时,5V输出将会降落,Vcc也随着降落,IC住手工作,可是空载或轻载时,庞大的PC电源年夜电容电压其实不能快速降落,依然可以或许给高压启动脚供给较年夜的电流使得IC从头启动,5V又从头输出,反跳。解决方式:
              • 在启动脚串入较年夜的限流电阻,使得年夜电容电压降落到依然比力高的时辰也不足以供给足够的启动电流给IC。
              • 将启动接到整流桥前,启动不受年夜电容电压影响。输入电压关断时,启动脚电压可以或许敏捷降落。

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